November 2014

Kondensatoren

CeraLink™ – kompakte Lösung für Umrichter

Die TDK Corporation präsentiert mit der neuen Generation des CeraLink™ eine sehr kompakte Lösung für die Snubber- und DC-Link-Beschaltung von schnell schaltenden Umrichtern auf SiC- und GaN-Basis. Die neuen Kondensatoren basieren auf PLZT-Keramik (Lead Lanthanum Zirconate Titanate). Im Gegensatz zu konventionellen Keramik-Kondensatoren liegt beim TDK CeraLink das Kapazitätsmaximum bei der Einsatzspannung und steigt sogar mit zunehmendem Anteil der Ripple-Spannung.

Die kleinste Ausführung des CeraLink ist die SMD-Low-Profile-Variante mit einer Kapazität von 1 µF bei einer Nennspannung von 500 V DC. Sie hat Abmessungen von 10,84 x 7,85 x 4,25 mm³. Auch eine Ausführung mit Lötstiftkontakten ist verfügbar. Dieser 20 µF-Typ misst 33,00 x 22,00 x 11,50 mm³ und ist ebenfalls für 500 V DC ausgelegt. Beide Typen bieten extrem geringe ESL-Werte von unter 3,5 nH. Die Kondensatoren sind für eine Betriebstemperatur von -40 °C bis +125 °C ausgelegt und können kurzfristig auch mit 150 °C beaufschlagt werden.

Ein großer Vorteil der CeraLink SMD-Low-Profile-Variante liegt darin, dass sie mit ihren kompakten Abmessungen sogar in IGBT-Module eingebettet werden kann. Dadurch ergibt sich ein sehr niederinduktives Design, wodurch es zu keinen nennenswerten Spannungsüberhöhungen beim Schalten der Halbleiter mehr kommt.

Darüber hinaus sind zwei weitere Ausführungen als Muster verfügbar. Eine SMD-Variante mit einer Kapazität von 5 µF bei 500 V DC. Ihre Abmessungen betragen 13,25 x 14,26 x 9,35 mm³. Die zweite Variante ist mit Lötstiftkontakten ausgeführt und hat bei 1000 V DC eine Kapazität von 5 µF. Die Abmessungen dieser Variante liegen bei 33,00 x 22,00 x 11,50 mm³.

Hauptanwendungsgebiete

  • Snubber- und DC-Link Kondensator für SiC- und GaN-Halbleiter.

Haupteigenschaften und -vorteile

  • Extrem geringe ESL-Werte von unter 3,5 nH
  • Hohe Betriebstemperatur von -40 °C bis +125 °C, kurzfristig bis +150 °C
  • Nennspannungen von 500 V DC und 1000 V DC
  • Kapazitätswerte von 1 µF, 5 µF und 20 µF
  • Einbettbar in IGBT-Module

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