September 2012

Induktivitäten

Vier neue Baureihen von Dünnschicht-Metall-Power-Induktivitäten

  • Mit im Portfolio: die weltweit kleinste Baureihe von Metall-Power-Induktivitäten
  • Die neuen Power-Induktivitäten bieten einen bis zu doppelt so hohen Nennstrom und den halben Gleichstromwiderstand im Vergleich zu bestehenden Ferrit-Produkten

Die TDK Corporation hat vier neue Baureihen von Dünnschicht-Metall-Power-Induktivitäten (TFM) in flachen Miniaturgehäusen entwickelt. Sie bieten einen bis zu doppelt so hohen Nennstrom und den halben Gleichstromwiderstand im Vergleich zu bestehenden Ferrit-Induktivitäten. Die neue TDK TFM-Familie ist in vier Baugrößen lieferbar – darunter die IEC-Baugröße 1608, die mit 1,6 x 0,8 x 1,0 mm³ die weltweit kleinste Metall-Power-Induktivität ist. Die anderen Baugrößen sind die Gehäusebauformen 2520, 2016 und 2012. Die neuen TFM Dünnschicht-Metall-Power-Induktivitäten bieten induktive Widerstände von 0,47 µH bis 2,2 µH und Nennströme von 0,8 A bis 4,0 A. Damit steht eine breite Auswahl für unterschiedlichste Anforderungen zur Verfügung. Die Serienproduktion hat im September 2012 begonnen.

Während das Kernmaterial von Induktivitäten vorwiegend aus Ferrit besteht, konnte TDK mithilfe eigener Werkstofftechnologie ein magnetisches Metall mit hoher Sättigungsflussdichte herstellen, das für hervorragende elektrische Eigenschaften in einem sehr kompakten Bauelement sorgt. Der Nennstrom wurde etwa im Vergleich zum vorherigen Ferrit-Typ (TFC252010/2,2 µH) verdoppelt, ohne damit die äußerst stabile Gleichstromüberlagerung aufzugeben. Modernste Dünnschicht-Technologien von TDK ermöglichen die Herstellung eines hoch präzisen Spulenmusters im Waferprozess. Kombiniert mit einer hoch entwickelten Kontaktierungstechnologie führt das zu einem reduzierten Gleichstromwiderstand und damit geringeren Verlusten. In Smartphones etwa, in denen Mehrfach-Induktivitäten in der Stromversorgung eingesetzt werden, trägt der Einsatz der neuen TDK TFM-Dünnschicht-Metall-Power-Induktivitäten zu einem höheren Wirkungsgrad der Stromversorgung bei und verlängert die Batterielebensdauer.

Dank ihres hohen Nennstroms, ihrer kleinen Grundfläche und ihrer niedrigen Bauhöhe eignen sich TFM-Dünnschicht-Metall-Power-Induktivitäten sehr gut für den Einsatz in
DC-DC-Wandlern, die in Smartphones, Tablet-PCs und Mobilgeräten zur Stromversorgung dienen.

Glossar

  • Sättigungsflussdichte: Die magnetische Flussdichte an dem Punkt, an dem eine weitere Erhöhung des Spulenstroms zu keiner weiteren erheblichen Erhöhung der Magnetisierung des Kerns führt.

Hauptanwendungsgebiete

  • Stromversorgungen von Smartphones, Tablet-PCs und anderen mobilen Geräten

Haupteigenschaften und -vorteile

  • Magnetisches Kernmaterial aus Metall unterstützt höhere Nennströme.
  • Dünnschicht-Technologie ermöglicht kleinen Gleichstromwiderstand in niedrigen Miniaturgehäusen.

Kenndaten

TypAbmessungen
[mm]
Induktivität
[μH]

Gleichstrom-widerstand*
[mΩ]

Nennstrom**
[A]

TFM160810

1,6 x 0,8 x 1,0

0,47 bis 1,5

114 bis 750

0,8 bis 1,6

TFM201210

2,0 x 1,2 x 1,0

0,47 bis 1,5

65 bis 300

1,5 bis 2,5

TFM201610

2,0 x 1,6 x 1,0

0,47 bis 2,2

46 bis 180

1,7 bis 3,2

TFM252010

2,5 x 2,0 x 1,0

0,47 bis 2,2

30 bis 115

2,3 bis 4,0

* Maximalwert
** Basierend auf der Änderungsrate des induktiven Widerstands (bei 30-prozentiger Abnahme vom Ausgangswert)

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